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J-GLOBAL ID：201702265872934746   Reference number：17A1810410

Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films

超大パワー熱プラズマジェットの発生とアモルファスシリコン膜結晶化への応用

Author (4)： NAKASHIMA Ryosuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  SHIN Ryota (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 6S2  Page： 06HE05.1-06HE05.4  Publication year： Jun. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film transistor ,  *semiconductor thin film ,  *recrystallization ,  *plasma jet ,  Argon ,  arc discharge ,  *silicon thin film
Semi thesaurus term： recrystallization

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： パワー ,  熱プラズマ ,  ジェット ,  アモルファス ,  シリコン膜 ,  結晶化 ,  応用