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J-GLOBAL ID：201702273277545785   Reference number：17A0181027

1060 nm lasers based on asymmetric extended vertical waveguide for high brightness, narrow and astigmatism-free circular beam emission

高輝度,狭いと非点収差から自由な円形ビーム放出のための非対称拡張垂直導波路に基づいた1060nmレーザ【Powered by NICT】

Author (3)： Miah M. J. (Institute of Solid State Physics, Technical University of Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany) ,  Kalosha V. P. (Institute of Solid State Physics, Technical University of Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany) ,  Bimberg D. (King Abdulaziz University, Jeddah 21589, Saudi Arabia)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： IPC  Page： 323-324  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Edge-emitting semiconductor la...

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Thesaurus term： *laser ,  transverse mode ,  *astigmatism (optics) ,  semiconductor laser ,  *luminance ,  *asymmetry ,  electric current ,  *waveguide ,  waveguide laser ,  beam divergence ,  surface emitting ,  *high brightness

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (10)： 高輝度 ,  非点収差 ,  円形 ,  ビーム ,  放出 ,  非対称 ,  拡張 ,  垂直 ,  導波路 ,  レーザ