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J-GLOBAL ID：201702273342522630   Reference number：17A0229882

Quantum Characterization of Si Nano-Particles Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

マルチ中空放電プラズマ化学気相成長法により堆積したSiナノ粒子の量子特性

Author (5)： SEO Hyunwoong (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  UCHIDA Giichiro (Osaka Univ., Ibaraki, JPN) ,  ITAGAKI Naho (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KOGA Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATANI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Science of Advanced Materials  (Sci Adv Mater)
Volume： 8  Issue： 3  Page： 636-639  Publication year： Mar. 2016 
JST Material Number： W2374A  ISSN： 1947-2935  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hollow-cathode discharge ,  *plasma ,  *chemical vapor deposition ,  *silicon ,  *nano particle ,  *quantum dot ,  transmission electron microscope ,  structural property ,  particle size distribution ,  Raman spectroscopy ,  metal-semiconductor junction ,  efficiency ,  quantum efficiency ,  exciton
Semi thesaurus term： hollow cathode discharge ,  *chemical vapor deposition ,  Si ,  structural property ,  particle size distribution ,  Raman spectroscopy ,  Schottky Junction ,  incident photon-to-current conversion efficiency ,  multiexciton

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (8)： マルチ ,  中空 ,  放電 ,  プラズマ化学気相成長法 ,  堆積 ,  Si ,  ナノ粒子 ,  量子