Art

J-GLOBAL ID：201702274294209892   Reference number：17A1425114

Hydrogen sensors based on noble metal doped metal-oxide semiconductor: A review

希金属をドープした金属-酸化物-半導体に基づく水素センサ:レビュー【Powered by NICT】

Author (5)： Luo Yifan (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Zhang Chao (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Zheng Bingbing (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Geng Xin (College of Mechanical Engineering, Yangzhou University, Yangzhou 225127, PR China) ,  Debliquy Marc (Service de Science des Materiaux, Faculte Polytechnique, Universite de Mons, Mons 7000, Belgium)
Material： International Journal of Hydrogen Energy  (Int J Hydrogen Energy)
Volume： 42  Issue： 31  Page： 20386-20397  Publication year： 2017 
JST Material Number： B0192B  ISSN： 0360-3199  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： With the exhaustion of traditi...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1425114&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0192B") }}

Thesaurus term： *oxide ,  graphene ,  combustibility ,  *semiconductor ,  nanomaterial ,  explosibility ,  *rare metal ,  precious metal ,  *doping ,  metal oxide ,  energy resource ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： 動作原理 ,  酸化物半導体 ,  *水素センサ , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： Noble metal ,  Metal-oxide ,  Semiconductor ,  Hydrogen sensor

JST classification (1)： Analytical instruments  (CC02020S)

Terms in the title (5)： 希金属 ,  ドープ ,  酸化物 ,  水素センサ ,  レビュー