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J-GLOBAL ID：201702274528258510   Reference number：17A0250245

簡略化した工程を使ったMOS電界効果トランジスタ作製実験教材の開発

Author (3)： TSUJI TAKUTO (鈴鹿工業高等専門学校) ,  NAGAOKA SHIRO (香川高等専門学校) ,  OTANI MASAHIRO (奈良工業高等専門学校)
Material： 工学教育  (Journal of JSEE)
Volume： 64  Issue： 6  Page： 6_127-6_130(J-STAGE)  Publication year： 2016 
JST Material Number： L4363A  ISSN： 1341-2167  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： science education ,  carrier diffusion ,  *MOSFET ,  *experiment ,  *experimental equipment ,  university ,  special school ,  *engineering education ,  *student experiment ,  *education
Semi thesaurus term： National College of Technology ,  *electronic engineering education

JST classification (2)： Science and engineering education  (AA04000C) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (4)：

• 1) 辻 琢人, 長岡史郎, 若原昭浩 : シリコン太陽電池作製実験教材の開発及び工学実験への導入, 工学教育, 63-4, pp.33-36, 2015
• 2) 柳井久義, 永田 穣 : 改訂集積回路工学 (1), pp.97-116, コロナ社, 1987
• 3) 中村俊三郎 : 卒業研究における集積回路分野への導入教育, 工学教育, 51-1, pp.115-119, 2003
• 4) 辻 琢人, 長岡史郎, 大谷真弘, 若原昭浩:MOS電界効果トランジスタ作製実験教材の開発, 平成27年度工学教育研究講演会講演論文集, pp.138-139, 2015

Terms in the title (6)： 簡略化 ,  MOS電界効果トランジスタ ,  作製 ,  実験 ,  教材 ,  開発