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J-GLOBAL ID：201702274631174209   Reference number：17A1931185

Characterization methods of relative permittivity of silicon-based passive components dielectric thin film

シリコンベース受動素子の誘電薄膜の相対誘電率のキャラクタリゼーションに関する研究を行った。【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Wang Xiaolei (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004) ,  Ma Ding (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004) ,  Qin Zhen (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004) ,  Chen Wenbin (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004) ,  Yang Daoguo (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004) ,  Cai Miao (桂林電子科技大学机電工程学院,广西桂林,541004)
Material： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Electronic Components and Materials)
Volume： 36  Issue： 8  Page： 64-68  Publication year： 2017 
JST Material Number： C2506A  ISSN： 1001-2028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： The relative permittivity of d...

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Thesaurus term： *permittivity ,  silicon dioxide ,  dielectric material ,  transmission line ,  mapping ,  linearity ,  structural parameter ,  coplanar waveguide ,  *dielectric thin film ,  *silicon ,  *characterization
Semi thesaurus term： 平均偏差 ,  Sパラメータ ,  特性パラメータ ,  *受動素子 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (7)： dielectric thin film ,  relative permittivity ,  NULL ,  coplanar waveguide ,  S-parameter ,  characterization method ,  passive device

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Insulating materials  (NA04030W)

Terms in the title (6)： シリコン ,  受動素子 ,  誘電薄膜 ,  誘電率 ,  キャラクタリゼーション ,  研究