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J-GLOBAL ID：201702277488903217   Reference number：17A0548170

デュアルゲートグラフェンチャネルトランジスタ内ラテラルp-i-n接合の線形電流電圧特性

Author (7)： SUGAWARA KENTA (東北大 電通研) ,  YADAV Deepika (東北大 電通研) ,  TOBAH Youssef (Univ. Texas) ,  MITSUSHIO JUNKI (東北大 電通研) ,  FUKIDOME HIROKAZU (東北大 電通研) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研) ,  OTSUJI TAIICHI (東北大 電通研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.14p-P4-52  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *transistor ,  *PIN junction ,  *current-voltage characteristic ,  characteristic ,  electric current ,  dispersion
Semi thesaurus term： *dual gate ,  *graphene transistor ,  transport property ,  drain current ,  band dispersion

JST classification (2)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (2)： 線形 ,  電流電圧特性