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J-GLOBAL ID：201702281882927655   Reference number：17A1139236

分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性(5)-新規多元素・分子クラスターイオン注入技術開発-

Author (9)： HIROSE RYO (SUMCO) ,  OKUYAMA RYOSUKE (SUMCO) ,  KADONO TAKESHI (SUMCO) ,  MASADA AYUMI (SUMCO) ,  SHIGEMATSU SATOSHI (SUMCO) ,  KOGA YOSHIHIRO (SUMCO) ,  OKUDA HIDEHIKO (SUMCO) ,  KURITA KAZUNARI (SUMCO) ,  MIYAMOTO NAOKI (日新イオン機器)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 78th  Page： ROMBUNNO.6a-A503-6  Publication year： Aug. 25, 2017 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *ion implantation ,  epitaxy ,  *wafer ,  *gettering ,  *carbon ,  *hydrogen ,  *phosphorus ,  secondary ion mass spectrometry ,  *depth profile ,  molecular cluster ,  image sensor
Semi thesaurus term： Si wafer ,  CMOS Image Sensor

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： 分子クラスター ,  イオン注入 ,  元素 ,  開発