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J-GLOBAL ID：201702283954891788   Reference number：17A1810229

Ab initio model for GaAs_1-x N_x chemical beam epitaxy using GaAs(100) surface stability over As₂, H₂, and N₂

As₂・H₂・N₂に対するGaAs(100)表面安定性を利用したGaAs_1-xN_x化学ビームエピタキシーの第一原理モデル

Author (3)： VALENCIA Hubert (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 6  Page： 060306.1-060306.3  Publication year： Jun. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,  *gallium compound ,  *arsenide ,  *nitride ,  *CBE growth ,  temperature dependence ,  pressure effect ,  calculation ,  first principle
Semi thesaurus term： *gallium arsenide nitride ,  pressure dependence ,  first principles calculation

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Reference (19)：

• M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L853 (1992).
• M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
• M. Kondow and F. Ishikawa, Adv. Opt. Technol. 2012, 754546 (2012).
• D. Wilt and M. Stan, Ind. Eng. Chem. Res. 51, 11931 (2012).
• F. Geisz and D. Friedman, Semicond. Sci. Technol. 17, 769 (2002).

Terms in the title (7)： H2 ,  N2 ,  GaAs ,  安定性 ,  化学ビームエピタキシー ,  第一原理 ,  モデル