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J-GLOBAL ID：201702284625426232   Reference number：17A0757277

A transient enhanced external capacitor-less LDO with a CMOS only sub-bandgap voltage reference

CMOSのみバンドギャップ電圧基準を用いた過渡的増速外部キャパシタレスLDO【Powered by NICT】

Author (3)： Park Chang-Bum (Dept. Electronics and Computer Engineering, Seokyeong University, Seoul, Korea) ,  Jung Chan-Kyeong (Dept. Electronics and Computer Engineering, Seokyeong University, Seoul, Korea) ,  Lim Shin-Il (Dept. Electronics Engineering, Seokyeong University, Seoul, Korea)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ISOCC  Page： 251-252  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper presents an externa...

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Thesaurus term： transient response ,  overshoot ,  regulator ,  *complementary metal oxide semiconductor ,  *band gap ,  simulation ,  electric power consumption ,  *voltage ,  subthreshold ,  power supply rejection ratio
Semi thesaurus term： アンダーシュート ,  負荷電流 ,  出力電圧 ,  基準電圧 ,  PSRR ,  基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Power source circuit  (NC05060Q)

Terms in the title (3)： CMOS ,  バンドギャップ ,  増速