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J-GLOBAL ID：201702286120970008   Reference number：17A1444480

Local structure around In atoms in coherently grown m-plane InGaN film

コヒーレント成長させたm面InGaN膜におけるIn原子の周りの局所構造【Powered by NICT】

Author (4)： Miyanaga Takafumi (Department of Mathematics and Physics, Hirosaki University, Hirosaki, Aomori036-8561, Japan) ,  Azuhata Takashi (Department of Mathematics and Physics, Hirosaki University, Hirosaki, Aomori036-8561, Japan) ,  Nitta Kiyofumi (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Hyogo679-5198, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Aoba, Sendai980-8577, Japan)
Material： Journal of Synchrotron Radiation  (J Synchrotron Radiat)
Volume： 24  Issue： 5  Page： 1012-1016  Publication year： 2017 
JST Material Number： W0763A  ISSN： 0909-0495  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The local structure around In ...

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Thesaurus term： *Indium ,  XAFS ,  crystal ,  *coherence ,  *gallium nitride ,  internuclear distance ,  atomic structure ,  polarized light ,  local strain ,  compressive strain ,  Wurtzite structure ,  *local structure ,  *gallium indium nitride
Semi thesaurus term： 励起子発光 ,  局在化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： m-plane ,  InGaN ,  XAFS ,  local structure ,  step-by-step fitting procedure

JST classification (2)： X-ray instruments and techniques  (BA02060D) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y)

Terms in the title (5)： コヒーレント ,  成長 ,  InGaN ,  原子 ,  局所構造