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J-GLOBAL ID：201702290974120289   Reference number：17A1607127

Effects in Growth Conditions on Crystallinity of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy using Raman Spectroscopy

原子層エピタキシー法によって作製されたGaAsN薄膜の作製条件の違いが結晶性に与える影響のラマン分光法による評価

Author (5)： HASHIMOTO HIDEAKI (宮崎大) ,  WADA TOSHIKI (宮崎大) ,  YOKOYAMA YUKI (宮崎大) ,  MAEDA KOJI (宮崎大) ,  SUZUKI HIDETOSHI (宮崎大)
Material： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
Issue： 46  Page： 113-116 (WEB ONLY)  Publication year： Jul. 31, 2017 
JST Material Number： U0521A  ISSN： 0540-4924  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *atomic layer epitaxy ,  crystal growth ,  thin film growth ,  nucleation ,  suppression and control ,  *quality control ,  *Raman spectroscopy ,  *semiconductor process ,  dependence ,  film thickness ,  *semiconductor thin film ,  laser spectroscopy ,  substrate(plate)
Semi thesaurus term： GaAs substrate ,  self-regulation ,  growth condition ,  quality control ,  film thickness dependence

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Infrared spectroscopy and spectrometers  (BD07042H)

Terms in the title (7)： 原子層エピタキシー法 ,  作製 ,  薄膜 ,  作製条件 ,  結晶性 ,  ラマン分光法 ,  評価