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J-GLOBAL ID：201702291628239912   Reference number：17A1220924

Influence of 700 °C vacuum annealing on fracture behavior of micro/nanoscale focused ion beam fabricated silicon structures

マイクロ・ナノスケール集束イオンビーム加工シリコン構造の破壊挙動に及ぼす700°C真空アニールの影響

Author (5)： GOSHIMA Yoshiharu (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  GOSHIMA Yoshiharu (HORIBA Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJII Tatsuya (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  INOUE Shozo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NAMAZU Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 6S1  Page： 06GL03.1-06GL03.6  Publication year： Jun. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： scale ,  *focused ion beam ,  *ion beam machining ,  fracture ,  *fracture strength ,  *nanowire ,  MEMS ,  *tensile test ,  annealing(heat treatment)
Semi thesaurus term： anneal ,  *silicon nanowire ,  nanoscale ,  tension tester

JST classification (3)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Material testing  (HB02020U)

Reference (30)：

• M. Jublot and M. Texier, Micron 56, 63 (2014).
• R. K. Nalla, A. E. Porter, C. Daraio, A. M. Minor, V. Radmilovic, E. A. Stach, A. P. Tomsia, and R. O. Ritchie, Micron 36, 672 (2005).
• R. J. Young, Vacuum 44, 353 (1993).
• T. Dinh, H.-P. Phan, T. Kozeki, A. Qamar, T. Namazu, N.-T. Nguyen, and D. V. Dao, RSC Adv. 5, 106083 (2015).
• T. Sumigawa, R. Shiohara, K. Matsumoto, and T. Kitamura, Acta Mater. 61, 2692 (2013).

Terms in the title (6)： ナノスケール ,  集束イオンビーム ,  シリコン ,  破壊挙動 ,  真空 ,  アニール