Art

J-GLOBAL ID：201702292137324874   Reference number：17A0955317

Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation

ゲートスイッチング動作で誘起されるSiC-MOSFETの正バイアス温度不安定

Author (4)： MURAKAMI Eiichi (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  FURUICHI Takahiro (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  TAKESHITA Tatsuya (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  ODA Kazuhiro (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 4S  Page： 04CR11.1-04CR11.6  Publication year： Apr. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  semiconductor device ,  *silicon carbide ,  *thermal stability ,  instability ,  voltage
Semi thesaurus term： silicon carbide ,  thermal instability ,  threshold voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (30)：

• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology (Wiley, Singapore, 2014).
• R. Green, A. Lelis, and D. Habersat, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EA03 (2016).
• M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04ER11 (2016).
• M. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, Y. Yano, and H. Okumura, Ext. Abstr. 63rd Spring Meet. Japan Society of Applied Physics, 2016, 20p-H101-20 [in Japanese].
• T. Grasser, Bias Temperature Instability for Devices and Circuits (Springer, New York, 2014).

Terms in the title (7)： ゲート ,  スイッチング ,  誘起 ,  SiC ,  MOSFET ,  バイアス ,  不安定