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J-GLOBAL ID：201702293460437041   Reference number：17A0955246

Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO₂/Al₂O₃/InGaAs gate stacks

HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを有するMOSFETにおけるゲート電圧掃引幅と堆積温度に対する電子移動度の依存性

Author (5)： OHSAWA Kazuto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NETSU Seiko (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KISE Nobukazu (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NOGUCHI Shinji (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 56  Issue： 4S  Page： 04CG05.1-04CG05.5  Publication year： Apr. 2017 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium oxide ,  Aluminum Oxide ,  *indium gallium arsenide ,  *MOSFET ,  *carrier mobility ,  electrostatic capacity ,  voltage ,  temperature dependence ,  *gate (semiconductor) ,  electric charge distribution ,  density ,  chemical vapor deposition ,  current-voltage characteristic ,  electron mobility ,  charge density
Semi thesaurus term： *InGaAs ,  gate voltage ,  *gate stack ,  ALD

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Trimethylaluminum

Reference (32)：

• J. A. del Alamo, Nature 479, 317 (2011).
• S. Oktyabrsky and P. D. Ye, Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs (Springer, Heidelberg, 2009) p. 31.
• C. Y. Huang, P. Choudhary, S. Lee, S. Kraemer, V. Chobpattana, B. Thibeault, W. Mitchell, S. Stemmer, A. Grossard, and M. Rodwell, Compound Semiconductor Week, 2015, We1E6.2.
• G. Sereni, L. Vandelli, L. Larcher, L. Morassi, D. Veksler, and G. Bersuker, IEEE Int. Reliability Physics Symp., 2014, 2C.3.1.
• M. Heyns and W. Tsai, MRS Bull. 34, 485 (2009).

Terms in the title (10)： HfO2 ,  Al2O3 ,  InGaAs ,  ゲートスタック ,  MOSFET ,  ゲート電圧 ,  掃引 ,  堆積 ,  電子移動度 ,  依存性