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J-GLOBAL ID：201703000215343870

カーボンナノチューブアレイ、材料、電子機器、カーボンナノチューブアレイの製造方法および電界効果トランジスタの製造方法

Inventor： 丸山 茂夫 ,  千足 昇平 ,  大塚 慶吾 ,  井ノ上 泰輝
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (3)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2015055770
Publication number (International publication number)：WO2015133387
Application date： Feb. 27, 2015
Publication date： Sep. 11, 2015
Summary：

熱キャピラリ流とは異なるメカニズムを用いて、簡便な工程によりm-CNTフリーのカーボンナノチューブアレイを得るために、A)m-及びs-CNTが水平に配向配置されるカーボンナノチューブアレイを準備する工程と;B)カーボンナノチューブアレイ上に有機物からなる層を形成する工程と;C)カーボンナノチューブアレイに、カーボンナノチューブアレイを構成するカーボンナノチューブの長軸方向に沿って、電圧を空気中で印加する工程と;D)有機物からなる層を除去する工程;とを有するカーボンナノチューブアレイの製造方法および得られたカーボンナノチューブアレイ。

Claim (excerpt)：

半導体型カーボンナノチューブが密度1本/μm以上で水平配向配置した、金属型カーボンナノチューブフリーのカーボンナノチューブアレイ。

IPC (7)：

C01B 32/152 ,  C01B 32/158 ,  B82B 1/00 ,  H01B 1/04 ,  H01B 13/00 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (6)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  H01B1/04 ,  H01B13/00 Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

F-Term (29)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB11 ,  4G146CB14 ,  4G146CB19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB29 ,  4G146CB35 ,  5G301BA03