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J-GLOBAL ID：201703000325211413

積層体および電子素子

Inventor： 岡田 政也 ,  三橋 史典 ,  上野 昌紀 ,  舘野 泰範 ,  末光 眞希 ,  吹留 博一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 北野 修平 ,  田中 勝也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016234445
Publication number (International publication number)：2017193158
Application date： Dec. 01, 2016
Publication date： Oct. 26, 2017
Summary：

【課題】グラフェン膜が導電部となる電子素子を製造した場合に高い移動度を安定して確保することが可能な積層体を提供する。【解決手段】積層体1は、炭化珪素からなり、カーボン面となす角が20°以下である第1主面2Aを有する基板部2と、第1主面2A上に配置され、基板部2を構成する炭化珪素の原子配列に対して配向する原子配列を有するグラフェン膜3と、を備える。グラフェン膜3の基板部2側とは反対側の主面である露出面3Aを平面的に見て、グラフェンの層数が10以上であって外接する円の直径が5μm以上100μm以下である領域の存在数が1mm2あたり10個以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなり、カーボン面となす角が20°以下である第1主面を有する基板部と、 前記第1主面上に配置され、前記基板部を構成する炭化珪素の原子配列に対して配向する原子配列を有するグラフェン膜と、を備え、 前記グラフェン膜の前記基板部側とは反対側の主面である露出面を平面的に見て、グラフェンの層数が10以上であって外接する円の直径が5μm以上100μm以下である領域の存在数が1mm2あたり10個以下である、積層体。

IPC (6)：

B32B 9/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182

FI (5)：

B32B9/00 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618E ,  C01B31/02 101Z

F-Term (35)：

4F100AA16A ,  4F100AD08A ,  4F100AD11B ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DC21C ,  4F100EH66 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01C ,  4F100JG04 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BC03 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• グラフェン製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-179150   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Empirical Study of Hall Bars on Few-Layer Graphene on C-Face 4H-SiC