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J-GLOBAL ID:201703001264557148

有機半導体薄膜の形成方法、並びにそれを用いた有機半導体デバイス及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人あーく特許事務所
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2015070186
Publication number (International publication number):WO2016010046
Application date: Jul. 14, 2015
Publication date: Jan. 21, 2016
Summary:
短時間の処理で有機半導体薄膜を形成できる有機半導体薄膜の形成方法を提供するとともに、上記有機半導体薄膜を利用した有機半導体デバイス、及びスループットの高い有機半導体デバイスの製造方法を提供する。有機半導体材料(7)からなる有機半導体薄膜(4)の形成方法において、有機半導体材料(7)に対して圧力を加えながら超音波振動を付与することで、有機半導体材料(7)を薄膜化する。有機半導体デバイスの製造方法は、有機半導体薄膜を含む有機半導体デバイスの製造方法であって、上記の形成方法で有機半導体薄膜を形成させる。有機半導体デバイスは、上記製造方法で製造されたものである。
Claim 1:
有機半導体材料からなる有機半導体薄膜の形成方法であって、 有機半導体材料に対して圧力を加えながら超音波振動を付与することで、有機半導体材料を薄膜化することを特徴とする有機半導体薄膜の形成方法。
IPC (4):
H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6):
H01L29/28 310L ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G
F-Term (51):
5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ06

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