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J-GLOBAL ID：201703002656720205

スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置

Inventor： 安藤 和也 ,  中山 裕康 ,  田代 隆治 ,  桑原 勇作
Applicant, Patent owner： 学校法人慶應義塾
Agent (5)： 森 哲也 ,  鈴木 壯兵衞 ,  田中 秀▲てつ▼ ,  廣瀬 一 ,  宮坂 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016234849
Publication number (International publication number)：2017112365
Application date： Dec. 02, 2016
Publication date： Jun. 22, 2017
Summary：

【課題】低消費電力でより安定且つ高速で動作可能な新規なスピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置を提供する。【解決手段】常磁性体層13と、常磁性体層13の表面に形成され、常磁性体層13の表面電場を変調する自己組織化単分子膜14とを備える。また、常磁性体層13と、常磁性体層13の表面に形成され、常磁性体層13の表面電場を変調する自己組織化単分子膜14とを備える記憶素子を複数個配列して記憶装置を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

常磁性体層と、 前記常磁性体層の表面に形成され、前記常磁性体層の表面電場を変調する自己組織化単分子膜と、 を備えることを特徴とするスピントロニクスデバイス。

IPC (5)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (4)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

F-Term (29)：

4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ01 ,  5F092AA03 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC26 ,  5F092AD03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB25 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB45 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04