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J-GLOBAL ID：201703003650489230
希土類薄膜磁石及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
小越 一輝
, 小越 勇
, 若土 雅之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017535097
Patent number：6208405
Application date： Mar. 29, 2017
Summary：
【要約】Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、表面に酸化膜が形成されたSi基板上に化学量論組成よりNd含有量が多い組成のNd-Fe-B下地膜を備え、下地膜の上にα-Fe相とNd2Fe14Bとが交互に配列し、かつ3次元的に分散した組織を有する膜(ナノコンポジット膜)を備えることを特徴とする希土類薄膜磁石。膜剥離や基板破壊の発生が少なく、良好な磁気特性を備えた希土類薄膜磁石を提供することを課題とする。
【選択図】図1
Claim (excerpt)：
【請求項1】 Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、表面に酸化膜が形成されたSi基板上に化学量論組成よりNd含有量が多い組成のNd-Fe-B下地膜を備え、下地膜の上にα-Fe相とNd2Fe14Bとが交互に配列し、かつ3次元的に分散した組織を有する膜(ナノコンポジット膜)を備えることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
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薄膜磁石
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2011-103433
Applicant：株式会社日立製作所
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希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2014-115719
Applicant：JX日鉱日石金属株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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