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J-GLOBAL ID：201703004401012307

半導体装置、半導体装置の劣化評価方法、半導体装置を含むシステム

Inventor： 金本 恭三 ,  矢野 新也 ,  木ノ内 伸一 ,  和田 幸彦 ,  中山 靖
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015140465
Publication number (International publication number)：2017022310
Application date： Jul. 14, 2015
Publication date： Jan. 26, 2017
Summary：

【課題】実使用状態での劣化評価が可能な半導体装置、および、その半導体装置を含むシステムを提供するとともに、実使用状態において、半導体装置の劣化評価を行なう方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に配置された半導体チップと、超音波を発生する発生部と、発生部からの超音波を受信する受信部と、半導体チップ、発生部、および受信部を覆うパッケージ部材と、パッケージ部材から露出するとともに、発生部と電気的に接続される第1の端子と、パッケージ部材から露出するとともに、受信部と電気的に接続される第2の端子とを含む。発生部および受信部は、発生部と受信部とを結ぶ超音波伝搬経路が半導体チップまたは基板の少なくとも一部を通過するように、配置される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に配置された半導体チップと、 超音波を発生する発生部と、 前記発生部からの超音波を受信する受信部と、 前記半導体チップ、前記発生部、および前記受信部を覆うパッケージ部材と、 前記パッケージ部材から露出するとともに、前記発生部と電気的に接続される第1の端子と、 前記パッケージ部材から露出するとともに、前記受信部と電気的に接続される第2の端子とを備え、 前記発生部および前記受信部は、前記発生部と前記受信部とを結ぶ超音波伝搬経路が前記半導体チップまたは前記基板の少なくとも一部を通過するように、配置される、半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/60 ,  G01N 29/46 ,  G01R 31/26 ,  G01N 29/34 ,  G01N 29/12

FI (5)：

H01L21/60 321Y ,  G01N29/46 ,  G01R31/26 A ,  G01N29/34 ,  G01N29/12

F-Term (23)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AC01 ,  2G003AC04 ,  2G003AH10 ,  2G047AC10 ,  2G047BA01 ,  2G047BC04 ,  2G047BC07 ,  2G047BC11 ,  2G047CA01 ,  2G047CA05 ,  2G047CB03 ,  2G047EA12 ,  2G047GA02 ,  2G047GA14 ,  2G047GG06 ,  2G047GG12 ,  2G047GG23 ,  2G047GG25 ,  2G047GG27 ,  2G047GG33 ,  2G047GJ28