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J-GLOBAL ID：201703004438070226

窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法

Inventor： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  永島 徹 ,  久保田 有紀
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京農工大学 ,  株式会社トクヤマ
Agent (2)： 前田 均 ,  鈴木 亨
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012025292
Publication number (International publication number)：2012188344
Patent number：6080148
Application date： Feb. 08, 2012
Publication date： Oct. 04, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、 酸素原子の濃度が5×1017cm-3以上5×1018cm-3以下であり、 炭素原子の濃度が4×1017cm-3以上4×1018cm-3以下であり、 酸素原子の濃度を[O]cm-3、炭素原子の濃度を[C]cm-3としたとき、下記式(1)の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。 1×1016 ≦ [O]-[C] ≦ 4.5×1018 (1)

IPC (4)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/01 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4)：

C30B 29/38 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• クラックフリーIII族窒化物半導体材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-036894   Applicant：テクノロジーズアンドデバイシーズインターナショナル,インコーポレイテッド
• III族窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-109830   Applicant：株式会社トクヤマ
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び窒化アルミニウム単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-220981   Applicant：日本碍子株式会社
• AlxGayIn1-x-yN結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-161762   Applicant：住友電気工業株式会社