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J-GLOBAL ID：201703004961590420

断層構造の観測方法、観測装置、及びコンピュータプログラム

Inventor： 尾崎 信彦 ,  西 剛史 ,  杉本 喜正 ,  池田 直樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 和歌山大学
Agent (1)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015206611
Publication number (International publication number)：2017078632
Application date： Oct. 20, 2015
Publication date： Apr. 27, 2017
Summary：

【課題】光吸収層を有する断層構造を光コヒーレンストモグラフィによって観測する。【解決手段】観測対象である断層構造を、光コヒーレンストモグラフィにより観測する。観測対象30である断層構造は、光源スペクトルの少なくとも一部の波長の光を吸収する光吸収物質からなる光吸収層を有する。断層構造に、光源から測定光を照射する。測定光が断層構造から反射した反射光と参照光との干渉光に基づいて、断層構造の反射光プロファイルを生成する。反射光プロファイルと、それぞれが異なる層厚の模擬光吸収層を有する複数の模擬断層構造における複数の光伝搬シミュレーション結果と、を比較する。反射光プロファイルに最も合致する光伝搬シミュレーション結果を得るためのシミュレーションの対象となった模擬光吸収層の層厚を、観測対象30である断層構造が有する光吸収層の層厚として決定する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

観測対象である断層構造を光コヒーレンストモグラフィにより観測する方法であって、 光源スペクトルの少なくとも一部の波長の光を吸収する光吸収物質からなる光吸収層を有する前記断層構造に、光源から測定光を照射するステップと、

IPC (4)：

G01N 21/17 ,  G01B 11/06 ,  G01B 11/24 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01N21/17 630 ,  G01B11/06 G ,  G01B11/24 D ,  H01L21/66 N ,  H01L21/66 P

F-Term (43)：

2F065AA30 ,  2F065BB02 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD04 ,  2F065FF52 ,  2F065GG02 ,  2F065LL04 ,  2F065LL12 ,  2F065LL46 ,  2F065LL68 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR10 ,  2F065UU05 ,  2G059AA05 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059EE12 ,  2G059FF02 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ22 ,  2G059LL01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106CA51 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 厚さまたは表面形状の測定方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-516101   Applicant：エスエヌユープレシジョンカンパニー,リミテッド
• 表面処理状況モニタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-266613   Applicant：株式会社島津製作所
• 半導体プロセスの終点検出
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-545188   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

• 厚さまたは表面形状の測定方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-516101   Applicant：エスエヌユープレシジョンカンパニー,リミテッド
• 表面処理状況モニタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-266613   Applicant：株式会社島津製作所
• 半導体プロセスの終点検出
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-545188   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• New correlation technique for on-line film thickness measurement

Cited by examiner (1)

• New correlation technique for on-line film thickness measurement