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J-GLOBAL ID：201703005323915580

垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体

Inventor： 介川 裕章 ,  温 振超 ,  三谷 誠司 ,  猪俣 浩一郎 ,  古林 孝夫 ,  ハドーン ジェイソン ポール ,  大久保 忠勝 ,  宝野 和博 ,  グ ジョンウ
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2015058306
Publication number (International publication number)：WO2015141794
Application date： Mar. 19, 2015
Publication date： Sep. 24, 2015
Summary：

立方晶系または正方晶系垂直磁化膜を高品質に成長可能であって耐熱性の高い下地膜を用いた垂直磁化膜構造として、(001)面方位の立方晶系単結晶の基板、または(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板の一方(5)と、基板5に形成されたhcp構造のRu、Re等の金属の薄膜であって、基板5の<001>方位又は(001)面方位に対して、[0001]方位が42°〜54°の範囲の角度をなす前記金属の薄膜からなる下地層(6)と、金属下地層6の上に位置すると共に、組成材料としてCo基ホイスラー合金、bcc構造のコバルト-鉄(CoFe)合金等からなる群より選ばれた(001)面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層(7)とを有する構造とする。

Claim (excerpt)：

hcp構造を有する金属であって、(001)面方位の立方晶系単結晶基板もしくは(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、[0001]方位が42°〜54°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。

IPC (5)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/84 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10

FI (5)：

G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/84 Z ,  H01F10/26 ,  H01L43/10

F-Term (35)：

5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112BB02 ,  5D112BB05 ,  5D112BD03 ,  5D112GB01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB55 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21