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J-GLOBAL ID：201703006174515944

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 金子 哲也 ,  野毛 宏 ,  佐藤 愛子 ,  斉藤 公彦 ,  近藤 道雄
Applicant, Patent owner： 国立大学法人福島大学 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (7)： 西川 惠清 ,  水尻 勝久 ,  竹尾 由重 ,  坂口 武 ,  北出 英敏 ,  仲石 晴樹 ,  木村 豊
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2014003159
Publication number (International publication number)：WO2015189878
Application date： Jun. 13, 2014
Publication date： Dec. 17, 2015
Summary：

太陽電池の発明が開示される。太陽電池は、半導体基板10と、真性の第1の非晶質系半導体層1と、不純物を含む第2の非晶質系半導体層2と、第2の非晶質系半導体層2上の一面全体に配置された第1の電極11と、真性の第3の非晶質系半導体層3と、不純物を含む第4の非晶質系半導体層4と、第4の非晶質系半導体層4上に配置された第2の電極12と、を備えている。第1の非晶質系半導体層1は櫛形状を有する。第3の非晶質系半導体層3は、第1の非晶質系半導体層1と噛み合う櫛形状となっている。第3の非晶質系半導体層3は、一部が平面視において第1の電極11に重なっている。

Claim (excerpt)：

受光面および裏面を有する一導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の裏面に配置され、櫛形状を有する真性の第1の非晶質系半導体層と、 前記第1の非晶質系半導体層上に配置され、前記半導体基板の導電型と異なる導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体層と、 前記第2の非晶質系半導体層上の一面全体に配置された第1の電極と、 前記半導体基板の裏面に配置され、前記第1の非晶質系半導体層と噛み合う櫛形状となり、一部が平面視において前記第1の電極に重なる真性の第3の非晶質系半導体層と、 前記第3の非晶質系半導体層上に配置され、前記半導体基板の導電型と同じ導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体層と、 前記第4の非晶質系半導体層上に配置された第2の電極と、を備えた、太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/074

FI (1)：

H01L31/06 455

F-Term (12)：

5F151AA05 ,  5F151CA11 ,  5F151CB18 ,  5F151CB21 ,  5F151DA07 ,  5F151DA10 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA16 ,  5F151GA04 ,  5F151GA14 ,  5F151HA03