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J-GLOBAL ID：201703007005497330

マルチフェロイック素子の初期化方法

Inventor： 富永 淳二 ,  齊藤 雄太
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2016055025
Publication number (International publication number)：WO2016147802
Application date： Feb. 22, 2016
Publication date： Sep. 22, 2016
Summary：

本発明の安定した素子動作を得るためのマルチフェロイック素子の初期化方法は、アンチモン-テルル、ビスマス-テルル、及びビスマス-セレンのいずれかを主成分として形成される第1合金層と、前記第1合金層上に積層されるとともに下記一般式(1)で表される化合物を主成分として形成され、電気分極が生じないリセット相と前記電気分極が生ずるセット相との間で相転移する第2合金層とを含む積層構造体を有するマルチフェロイック素子に対し、前記第2合金層の前記リセット相を前記セット相に相転移させる相転移温度以上の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることを特徴とする。 ただし、前記式(1)中、Mは、ゲルマニウム、アルミニウム及びシリコンのいずれかの原子を示し、xは、0.5以上1未満の数値を示す。

Claim (excerpt)：

アンチモン-テルル、ビスマス-テルル、及びビスマス-セレンのいずれかを主成分として形成される第1合金層と、前記第1合金層上に積層されるとともに下記一般式(1)で表される化合物を主成分として形成され、電気分極が生じないリセット相と前記電気分極が生ずるセット相との間で相転移する第2合金層とを含む積層構造体を有するマルチフェロイック素子に対し、 前記第2合金層の前記リセット相を前記セット相に相転移させる相転移温度以上の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることを特徴とするマルチフェロイック素子の初期化方法。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (11)：

5F092AA20 ,  5F092AC30 ,  5F092BD02 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD20 ,  5F092BE06 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02