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J-GLOBAL ID：201703007950558159

金属もしくは半導体細線の製造方法

Inventor： 益田 秀樹 ,  近藤 敏彰 ,  高木 悠衣
Applicant, Patent owner： 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
Agent (2)： 伴 俊光 ,  細田 浩一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012253396
Publication number (International publication number)：2014100722
Patent number：6087113
Application date： Nov. 19, 2012
Publication date： Jun. 05, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 金属を陽極酸化することにより形成された多孔性材料に選択的なエッチング処理を施すことで形成されたスルーホールポーラスメンブレンを、細孔を有する口金とし、該口金の吐出側の面に開口を有する台座を用い、金属もしくは半導体を少なくとも融点以上の温度に加熱して溶融状態とし、溶融した金属もしくは半導体を加圧することで前記口金の細孔から吐出し、吐出後に凝固させることにより、金属もしくは半導体の細線を形成することを特徴とする、金属もしくは半導体細線の製造方法。

IPC (1)：

B21C 23/00 ( 200 6.01)

FI (1)：

B21C 23/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-135820
  
• 金属ナノワイヤーおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-195973   Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 特公昭49-033248