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J-GLOBAL ID：201703009090088993

環状シロキサン化合物、環状シロキサン膜、ナノ構造体の製造方法およびSiO2超薄膜

Inventor： 三ツ石 方也 ,  朱 慧娥 ,  山本 俊介 ,  宮下 徳治
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016093357
Publication number (International publication number)：2017200892
Application date： May. 06, 2016
Publication date： Nov. 09, 2017
Summary：

【課題】CVDを利用しなくとも成膜可能で、常温常圧で粉末状の性状を有し、有機溶媒に可溶であり、かつ塗布法などで簡便にコーティング可能で、ナノメートルスケールで構造制御が可能である環状シロキサン化合物、環状シロキサン膜、ナノ構造体の製造方法およびSiO2超薄膜を提供する。【解決手段】図1で表される環状シロキサン化合物は、Si-H基を有する環状シロキサンを、コハク酸無水物とのヒドロシリル化反応により置換し、さらにN-ドデシルアミンと反応させることで得ることができ、粉末状である環状シロキサン化合物。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

式(1)であらわされることを特徴とする環状シロキサン化合物。

IPC (1)：

C07F 7/10

FI (1)：

C07F7/10 W

F-Term (11)：

4H049VN01 ,  4H049VP04 ,  4H049VQ37 ,  4H049VR22 ,  4H049VR42 ,  4H049VU17 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04