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J-GLOBAL ID：201703010567675932

レジストパターン形成方法

Inventor： 星野 学
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社
Agent (3)： 杉村 憲司 ,  寺嶋 勇太 ,  結城 仁美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016016610
Publication number (International publication number)：2017134373
Application date： Jan. 29, 2016
Publication date： Aug. 03, 2017
Summary：

【課題】主鎖切断型のポジ型レジストとして使用した際にレジストパターンの倒れの発生を抑制することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(I)で表される単量体単位(A)および一般式(II)で表される単量体単位(B)を有し、単量体単位(A)および単量体単位(B)の少なくとも一方がフッ素原子を一つ以上有する重合体を含む、ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、露光工程と、現像工程と、を含み、現像を、フッ素系溶剤及びアルコールを含有する現像液を用いて行う、レジストパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(I):

IPC (6)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/22 ,  C08F 212/14

FI (7)：

G03F7/039 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 569E ,  C08F220/22 ,  C08F212/14

F-Term (45)：

2H125AM14P ,  2H125AM30P ,  2H125AN31P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC20 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA11 ,  2H196EA06 ,  2H196GA04 ,  2H197AA05 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H197JA30 ,  2H225AM14P ,  2H225AM30P ,  2H225AN31P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC20 ,  2H225CD05 ,  4J100AB07Q ,  4J100AB10Q ,  4J100AL24P ,  4J100AL26P ,  4J100BA02Q ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38 ,  5F146CA03 ,  5F146GA21 ,  5F146LA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭57-118243