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J-GLOBAL ID:201703011263957563
スピン軌道相互作用の制御方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (3):
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2016087730
Publication number (International publication number):2017199743
Application date: Apr. 26, 2016
Publication date: Nov. 02, 2017
Summary:
【課題】より高い自由度でスピン流の状態が制御できるようにする。【解決手段】金属から構成された金属薄膜の厚さにより、スピン軌道相互作用の強さを制御する。まず、金属薄膜の結晶状態を結晶状態または多結晶状態のいずれかにすることによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。また、結晶状態に加えて金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
金属から構成された金属薄膜のスピン軌道相互作用の強さを制御するスピン軌道相互作用の制御方法であって、
前記金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する
ことを特徴とするスピン軌道相互作用の制御方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (7):
5F092AC21
, 5F092AD23
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BE21
, 5F092BE27
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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電流-スピン流変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-191414
Applicant:独立行政法人理化学研究所
Cited by examiner (1)
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電流-スピン流変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-191414
Applicant:独立行政法人理化学研究所
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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