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J-GLOBAL ID：201703011315617634

グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法

Inventor： 加賀谷 宗仁
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014127824
Publication number (International publication number)：2017143085
Application date： Jun. 23, 2014
Publication date： Aug. 17, 2017
Summary：

【課題】グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る方法は、(a)グラフェン膜上にレジストマスクを形成する工程と、(b)グラフェン膜上のレジスト残渣を除去するために、被処理体を酸素ラジカルに晒す工程を含む。この方法によれば、被処理体の損傷を抑制しつつレジスト残渣を除去することが可能である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

グラフェン膜を有する被処理体を処理する方法であって、 前記グラフェン膜上にレジストマスクを形成する工程と、 前記グラフェン膜上のレジスト残渣を除去するために、前記被処理体を酸素ラジカルに晒す工程と、 を含む方法。

IPC (8)：

H01L 21/28 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/417

FI (9)：

H01L21/28 A ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L21/306 N ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101D ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B

F-Term (29)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146CB13 ,  4G146CB15 ,  4G146CB16 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004FA08 ,  5F043AA22 ,  5F043DD18