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J-GLOBAL ID：201703011847784202
テラヘルツ帯電磁波発振装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015246505
Publication number (International publication number)：2017112274
Application date： Dec. 17, 2015
Publication date： Jun. 22, 2017
Summary：
【課題】安定したテラヘルツ波の放射が可能であり、かつ発振周波数の制御も可能な、テラヘルツ素子を備えたテラヘルツ帯電磁波発振装置を提供する。【解決手段】テラヘルツ帯電磁波発振装置が、超伝導体のテラヘルツ素子と、テラヘルツ素子を搭載するパッケージであって、金属製の熱浴部と、熱浴部に設けられ、テラヘルツ素子を載置する平面を備えた収容部と、収容部の平面内に設けられた開口部と、開口部に設けられ、テラヘルツ素子から放射されるテラヘルツ光を透過するレンズとを含むパッケージと、収容部の中に、テラヘルツ素子を覆うように設けられた封止樹脂とを含み、テラヘルツ素子は、収容部に設けられた固定具により、収容部の平面と直接接触した状態で固定される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
テラヘルツ帯電磁波発振装置であって、
超伝導体のテラヘルツ素子と、
該テラヘルツ素子を搭載するパッケージであって、
金属製の熱浴部と、
該熱浴部に設けられ、該テラヘルツ素子を載置する平面を備えた収容部と、
該収容部の平面内に設けられた開口部と、
該開口部に設けられ、該テラヘルツ素子から放射されるテラヘルツ光を透過するレンズと、を含むパッケージと、
該収容部の中に、該テラヘルツ素子を覆うように設けられた封止樹脂と、を含み、
該テラヘルツ素子は、該収容部に設けられた固定具により、該収容部の平面と直接接触した状態で固定されることを特徴とするテラヘルツ帯電磁波発振装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (4)：
4M113AA60
, 4M113AC13
, 4M113AD36
, 4M113CA35
