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J-GLOBAL ID：201703012062743464

電子デバイス及びその製造方法

Inventor：
原田 直樹

About 原田 直樹

, 
實宝 秀幸

About 實宝 秀幸


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015173228
Publication number (International publication number)：2017050424
Application date： Sep. 02, 2015
Publication date： Mar. 09, 2017
Summary：
【課題】簡易な回路構成で消費電力を抑え、より大きな電圧検出感度を有する高性能で信頼性の高い微細な電子デバイスを実現する。【解決手段】ヘテロ接合逆方向ダイオードは、第1のグラフェン1a及び第2のグラフェン1bを有するグラフェンナノリボン1と、第1のグラフェンと接続されたカソード電極2と、第2のグラフェン1bと接続されたアノード電極3とを備えており、第1のグラフェン1aは、エッジが第1の終端基であるFで終端されていると共に、n型の極性を有しており、第2のグラフェン1bは、エッジが第2の終端基であるHで終端されていると共に、p型の極性を有している。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
第1のグラフェン及び第2のグラフェンを有するグラフェンナノリボンと、 前記第1のグラフェンと接続された第1の電極と、 前記第2のグラフェンと接続された第2の電極と を含み、 前記第1のグラフェンは、エッジが第1の終端基で終端されていると共に、第1の極性を有しており、 前記第2のグラフェンは、エッジが前記第1の終端基と異なる第2の終端基で終端されていると共に、前記第1の極性と異なる第2の極性を有していることを特徴とする電子デバイス。
IPC (11)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 51/05 ,  C01B 32/15 ,  C01B 32/18 ,  C01B 32/182 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  H01L 51/40
FI (9)：
H01L29/91 G ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/91 H ,  H01L29/66 T ,  H01L29/06 601N ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E
F-Term (6)：
4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AD28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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