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J-GLOBAL ID：201703012577373015

半導体ナノ粒子及びその製造方法、並びに半導体ナノ粒子を用いた蛍光プローブ、LED装置、波長変換フィルム、及び光電変換装置

Inventor： 北野 智誉
Applicant, Patent owner： コニカミノルタ株式会社
Agent (2)： 鷲田 公一 ,  木曽 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016001703
Publication number (International publication number)：2017122175
Application date： Jan. 07, 2016
Publication date： Jul. 13, 2017
Summary：

【課題】CdやHg、Pb等の元素を含まず、発光ピーク波長の半値幅が狭く、さらに蛍光量子収率の高い半導体ナノ粒子やその製造方法等の提供を目的とする。【解決手段】第11族元素、第13族元素、及び第16族元素から構成されるカルコパイライト型結晶構造を有するコア結晶領域と、前記コア結晶領域の周囲に形成された、第12族元素及び第16族元素を含むシェル結晶領域と、を有する半導体ナノ粒子であって、前記コア結晶領域及び前記シェル結晶領域の間に、前記コア結晶領域を構成する元素及び前記シェル結晶領域を構成する元素を含む固溶体層をさらに有し、前記固溶体層の厚みが、前記半導体ナノ粒子の半径に対して10以上90%以下であり、前記コア結晶領域を構成する第16族元素以外の2つの元素のうち、第16族元素に対する結合力が小さい元素のモル量が、第16族元素に対する結合力が大きい元素のモル量より大きい、半導体ナノ粒子とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第11族元素、第13族元素、及び第16族元素から構成されるカルコパイライト型結晶構造を有するコア結晶領域と、 前記コア結晶領域の周囲に形成された、第12族元素及び第16族元素を含むシェル結晶領域と、 を有する半導体ナノ粒子であって、 前記コア結晶領域及び前記シェル結晶領域の間に、前記コア結晶領域を構成する元素及び前記シェル結晶領域を構成する元素を含む固溶体層をさらに有し、 前記固溶体層の厚みが、前記半導体ナノ粒子の半径に対して10%以上90%以下であり、 前記コア結晶領域を構成する第16族元素以外の2つの元素のうち、第16族元素に対する結合力が小さい元素のモル量が、第16族元素に対する結合力が大きい元素のモル量より大きい、半導体ナノ粒子。

IPC (9)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/88 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00 ,  G03B 21/14 ,  H01L 33/50 ,  G02B 5/20

FI (10)：

C09K11/62 ,  C09K11/08 A ,  C09K11/88 ,  C09K11/08 G ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  G03B21/14 A ,  H01L33/00 410 ,  G02B5/20

F-Term (28)：

2H148AA07 ,  2K203FA07 ,  2K203FA45 ,  2K203GA35 ,  2K203GA40 ,  2K203HA30 ,  2K203HB25 ,  2K203HB26 ,  2K203MA04 ,  2K203MA11 ,  4H001CC14 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA29 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49 ,  5F142BA32 ,  5F142CA02 ,  5F142CD02 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA64 ,  5F142DA73