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J-GLOBAL ID：201703012754663827

成膜方法

Inventor： 赤岩 和明 ,  金子 健太郎 ,  藤田 静雄 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015090050
Publication number (International publication number)：2016207911
Application date： Apr. 27, 2015
Publication date： Dec. 08, 2016
Summary：

【課題】電気特性に優れた半導体膜を形成することができる新規かつ有用な成膜方法を提供する。【解決手段】第1の半導体の前駆体溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって成膜室内に搬送し、ついで、前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、成膜室内に設置されている基体上に第1の半導体膜を成膜する。そして、第1の半導体からなる第1の半導体膜を絶縁化させた後、第2の半導体の前駆体溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって成膜室内に搬送し、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、絶縁化させた第1の半導体膜上に、第2の半導体からなる第2の半導体膜を成膜する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

第1の半導体からなる第1の半導体膜を絶縁化させた後、第2の半導体の前駆体溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって成膜室内に搬送し、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、絶縁化させた第1の半導体膜上に、第2の半導体からなる第2の半導体膜を成膜することを特徴とする半導体膜の成膜方法。

IPC (6)：

H01L 21/365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/368 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/40

FI (8)：

H01L21/365 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627F ,  H01L21/368 Z ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

F-Term (60)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA12 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA15 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053KK10 ,  5F053LL03 ,  5F053LL04 ,  5F053RR20 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-092091   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタ、及び、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-023862   Applicant：公立大学法人高知工科大学

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-092091   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタ、及び、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-023862   Applicant：公立大学法人高知工科大学