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J-GLOBAL ID：201703014794090059

圧力センサ

Inventor： 村田 英幸 ,  酒井 平祐 ,  辻 裕司
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
Agent (1)： 鎌田 耕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016111842
Publication number (International publication number)：2017219336
Application date： Jun. 03, 2016
Publication date： Dec. 14, 2017
Summary：

【課題】高感度化の実現に適した有機圧力センサを提供する。【解決手段】ゲート電極21、ゲート絶縁膜22、及び有機半導体層23がこの順に積層された積層体を有する有機電界効果トランジスタ20と、有機圧電体層31を有し、かつ有機半導体層23から見てゲート絶縁膜22と反対側に配置された感圧部20と、ゲート電極21にゲート電圧Vgを印加するためにゲート電極21に接続された電源41と、を備えた圧力センサ1とする。圧力センサ1では、検出するべき圧力が感圧部30に印加されて有機圧電体層31がその厚さ方向に圧縮されることにより感圧部30に蓄積される有機半導体層23に最も近い電荷30cがゲート電圧Vgと正負の符号が逆になるように、有機圧電体層31に含まれる有機圧電体が分極処理されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体層がこの順に積層された積層体を有する有機電界効果トランジスタと、 有機圧電体層を有し、前記有機半導体層から見て前記ゲート絶縁膜と反対側に配置された感圧部と、 前記ゲート電極にゲート電圧Vgを印加するために前記ゲート電極に接続された電源と、を備え、 検出するべき圧力が前記感圧部に印加されて前記有機圧電体層がその厚さ方向に圧縮されることにより前記感圧部に蓄積される前記有機半導体層に最も近い電荷が前記ゲート電圧Vgと正負の符号が逆になるように、前記有機圧電体層に含まれる有機圧電体が分極処理されている、 圧力センサ。

IPC (5)：

G01L 1/18 ,  G01L 9/00 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/193 ,  H01L 29/786

FI (5)：

G01L1/18 B ,  G01L9/00 309 ,  H01L41/113 ,  H01L41/193 ,  H01L29/78 618B

F-Term (19)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC60 ,  2F055DD04 ,  2F055EE39 ,  2F055FF11 ,  2F055GG11 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32