Pat

J-GLOBAL ID：201703014823056914

透過波制御基板

Inventor： 川島 宗也 ,  関 智弘 ,  真田 篤志 ,  永井 翔太郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人山口大学
Agent (1)： 特許業務法人 志賀国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014025793
Publication number (International publication number)：2015154208
Patent number：6078854
Application date： Feb. 13, 2014
Publication date： Aug. 24, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の表面に形成された第1導体板と、 前記第1導体板と同一の形状であり、前記誘電体基板の裏面に形成された第2導体板と、 前記誘電体基板を貫通し、前記第1導体板及び前記第2導体板の各々を、前記第1導体板と前記第2導体板とのそれぞれの中心を接続する導体柱と から構成される基本構造を有し、 前記第1導体板及び前記第2導体板の各々と同一平面上の容量成分を容量値C1とし、前記第1導体板及び前記第2導体板の各々と同一平面上の誘導成分のインダクタンスをL1とし、表面と裏面との間の前記導体柱における容量成分をC2とし、表面と裏面との間の前記導体柱における誘導成分をL2とし、以下の共振周波数fRを示す(1)式を満足する基本構造を2次元周期で配置した基板に対し、共振周波数と同様の周波数の電磁波を入射させた場合、前記電磁波の入射角度に依存した透過量及び反射量の各々を有する ことを特徴とする透過波制御基板。

IPC (2)：

H01Q 15/14 ( 200 6.01) ,  H05K 9/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01Q 15/14 B ,  H05K 9/00 M