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J-GLOBAL ID：201703014906865040

検査装置及び検査方法

Inventor： 伊藤 明 ,  中西 英俊 ,  望月 敏光 ,  高遠 秀尚 ,  白澤 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社SCREENホールディングス ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016026113
Publication number (International publication number)：2017147274
Application date： Feb. 15, 2016
Publication date： Aug. 24, 2017
Summary：

【課題】半導体試料に形成された絶縁膜を検査する新たな技術を提供する。【解決手段】検査装置100は、半導体を有する検査試料9の表面に形成された絶縁膜93を検査する装置である。検査装置100は、検査試料9を保持するステージ30と、検査試料9に所定波長の検査光LP11を照射することによって、検査試料9からテラヘルツ波LT1を放射させる光照射部10と、検査試料9から放射されたテラヘルツ波LT1の電界強度を検出する検出部20と、検査試料9から放射されるテラヘルツ波LT1の電界強度と評価用基準値SV1とを比較する比較部504とを備える。評価用基準値SV1は、検査試料9の基準となる基準試料9Aに対して、異なる大きさの電圧を印加しつつ、検査光LP11の照射によって発生するテラヘルツ波LT1の電界強度の飽和値TSat1またはTSat2の絶対値よりも小さい値(例えば、飽和値の90%)とされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体を有する検査試料の表面に形成された絶縁膜を検査する検査装置であって、 検査試料を保持する保持部と、 前記検査試料に所定波長の光を照射することによって、前記検査試料からテラヘルツ波を放射させる光照射部と、 前記検査試料から放射された前記テラヘルツ波の電界強度を検出する検出部と、 前記検査試料から放射される前記テラヘルツ波の電界強度と評価用基準値とを比較する比較部と、 を備え、 前記評価用基準値は、前記検査試料の基準となる基準試料に対して、異なる大きさの電圧を印加しつつ、前記所定波長の光を照射することで発生する前記テラヘルツ波の電界強度の飽和値の絶対値よりも小さい値である、検査装置。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/63 ,  G01N 21/00

FI (3)：

H01L21/66 Q ,  G01N21/63 Z ,  G01N21/00 B

F-Term (44)：

2G043AA03 ,  2G043CA07 ,  2G043DA05 ,  2G043EA10 ,  2G043FA01 ,  2G043FA07 ,  2G043GA07 ,  2G043GB11 ,  2G043HA02 ,  2G043HA09 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA07 ,  2G043KA08 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA06 ,  2G059AA05 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059DD12 ,  2G059EE06 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059GG08 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059KK10 ,  2G059LL01 ,  2G059MM10 ,  4M106AA12 ,  4M106AA13 ,  4M106BA05 ,  4M106BA14 ,  4M106CA17 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ18