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J-GLOBAL ID：201703015635863205

希土類アルミノボライド熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

Inventor： 森 孝雄 ,  丸山 恵史 ,  宮崎 譲 ,  梶谷 剛 ,  林 慶
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013036757
Publication number (International publication number)：2013219330
Patent number：6061272
Application date： Feb. 27, 2013
Publication date： Oct. 24, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 以下の組成を有する希土類アルミノボライド熱電半導体。 YaAlxB14(ここで、0.49 IPC (2)：

H01L 35/22 ( 200 6.01) ,  C01B 35/04 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 35/22 ,  C01B 35/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 熱電半導体とそれを用いた熱電発電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-172597   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 希土類多ホウ化物熱電素子とそれを用いた熱電発電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-171979   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• エレクトロニクス素子用硼化物材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239268   Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 宇部興産株式会社, 三菱電機株式会社, 株式会社東芝, 株式会社日立製作所, 北海道電力株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• The crystal structure of defective YAlB14 and ErAlB14