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J-GLOBAL ID：201703015717118516

架橋性ケイ素化合物の製造方法

Inventor： 國武 雅司 ,  諏訪 和也 ,  大場 智之 ,  松尾 孝志 ,  勝田 真弘
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学 ,  JNC株式会社
Agent (4)： 川口 嘉之 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  菅家 博英
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015129083
Publication number (International publication number)：2017014320
Application date： Jun. 26, 2015
Publication date： Jan. 19, 2017
Summary：

【課題】一定範囲の分子量を有する、シルセスキオキサン骨格をケイ素系重合体の主鎖に含む架橋性ケイ素化合物の量産可能な製造方法の提供。【解決手段】触媒及び水の存在下で、式(1)で表されるシルセスキオキサンユニット含有化合物に、直鎖状シロキサンユニット化合物及び環状シロキサンユニット化合物の一方又は両方を平衡重合反応させることを含む、架橋性ケイ素化合物の製造方法。架橋性ケイ素化合物の原料である前記シルセスキオキサンユニット含有化合物に、並びに直鎖状シロキサンユニット化合物及び環状シロキサンユニット化合物の一方又は両方の仕込み全質量に対し、0.5〜15質量%の水の存在下で熟成する熟成工程を含み、前記熟成工程は0超〜100°C未満の温度に保持させて行われる架橋性ケイ素化合物の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

触媒及び水の存在下で、下記式(1)で表される化合物に、下記式(2)で表される化合物及び下記式(3)で表される化合物の一方又は両方を平衡重合反応させることを含む、架橋性ケイ素化合物の製造方法であって、 架橋性ケイ素化合物の原料である前記下記式(1)で表される化合物、並びに前記下記式(2)で表される化合物及び前記下記式(3)で表される化合物の一方又は両方の仕込み全質量に対し、0.5質量%以上15質量%以下の水の存在下で熟成する熟成工程を含み、 前記熟成工程は0°Cを超え、100°C未満の温度に保持させておこなわれることを特徴とする、架橋性ケイ素化合物の製造方法(ただし下記式(1)中のR1、R5、及び式(2)中のR2の少なくとも1種が、水素若しくは炭素数2〜40のアルケニルである架橋性 官能基を含む)。

IPC (1)：

C08G 77/10

FI (1)：

C08G77/10

F-Term (30)：

4J246AA03 ,  4J246AB07 ,  4J246BA040 ,  4J246BA04X ,  4J246BA140 ,  4J246BA14X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246BB022 ,  4J246BB02X ,  4J246CA010 ,  4J246CA120 ,  4J246CA12U ,  4J246CA12X ,  4J246CA230 ,  4J246CA240 ,  4J246CA24X ,  4J246CA330 ,  4J246CA390 ,  4J246CA400 ,  4J246CA40X ,  4J246FA071 ,  4J246FA271 ,  4J246FA421 ,  4J246FA451 ,  4J246FB191 ,  4J246GC23 ,  4J246HA11 ,  4J246HA12 ,  4J246HA29