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J-GLOBAL ID：201703016636031617

半導体装置

Inventor： 菅沼 克昭 ,  長尾 至成 ,  杉岡 卓央 ,  小川 賢 ,  藤林 輝久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社日本触媒
Agent (1)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016027220
Publication number (International publication number)：2016189455
Application date： Feb. 16, 2016
Publication date： Nov. 04, 2016
Summary：

【課題】長期間にわたって200°Cを超える高温で使用しても、半導体装置内での剥離の発生が充分に抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】基板と半導体素子とを含んで構成される半導体装置であって、該半導体装置は、銀粒子と溶媒とを含む導電性組成物と、シアネートエステル化合物及び/又はマレイミド化合物を含有する樹脂組成物とを用いて作製される半導体装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板と半導体素子とを含んで構成される半導体装置であって、 該半導体装置は、銀粒子と溶媒とを含む導電性組成物と、 シアネートエステル化合物及び/又はマレイミド化合物を含有する樹脂組成物とを用いて作製されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/52 ,  C08L 79/04 ,  C08K 3/08 ,  C08K 5/54 ,  H01L 21/56

FI (7)：

H01L21/52 B ,  C08L79/04 Z ,  C08K3/08 ,  C08K5/54 ,  H01L21/52 C ,  H01L21/56 R ,  H01L21/52 E

F-Term (23)：

4J002CM021 ,  4J002CM041 ,  4J002CM053 ,  4J002CP092 ,  4J002DA076 ,  4J002ER007 ,  4J002EX077 ,  4J002FD116 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA03 ,  5F047AA17 ,  5F047BA15 ,  5F047BA34 ,  5F047BA36 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB03 ,  5F061DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-105164   Applicant：日立化成工業株式会社
• 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-287985   Applicant：日立化成工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180147   Applicant：東芝ケミカル株式会社
• シアネートエステル系組成物及びその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-108991   Applicant：株式会社日本触媒
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-339873   Applicant：三菱電機株式会社