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J-GLOBAL ID：201703016693639818

光検知式水素ガスセンサ

Inventor： 山根 治起 ,  高橋 慎吾 ,  山崎 裕
Applicant, Patent owner： 秋田県 ,  Tianma Japan株式会社
Agent (1)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016055934
Publication number (International publication number)：2017172993
Application date： Mar. 18, 2016
Publication date： Sep. 28, 2017
Summary：

【課題】本発明は、検知素子の水素ガスに対する防爆化を図りながらも、高精度に水素ガスを検知することが可能な光検知式水素ガスセンサを提供する。【解決手段】本発明にかかる光検知式水素ガスセンサは、少なくとも、光源、偏光子、検知素子、磁場印加機構および光検出器を有している。そして、積層体で発生する多重反射によって磁気光学信号が増強する条件で光源からの光を積層体に照射し、磁場印加機構によって積層体の磁化を制御する。このとき、水素ガスとの反応に伴う水素ガス検知層の光学物性の変化を、積層体からの反射光の変化である磁気光学信号として光検出器により検出することで水素ガスを検知する。よって、水素ガスが実際に接触する水素ガス検知層に電気印加を必要としないため、水素ガスに対する検知素子自体の防爆化を図ることが可能となる。さらに、前記水素ガス検知層の厚さを変えることで、検知する水素ガスの濃度に適した検知素子を構成することが可能となり、安全かつ高性能の光検知式水素ガスセンサを提供できる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

少なくとも、光源、水素ガス検知層と金属磁性層と誘電体光干渉層と金属反射層とを含む積層体で構成された検知素子、磁場印加機構および光検出器を有し、 前記光源から出射された光が前記検知素子に入射したときに、前記積層体で発生する多重反射によって入射光の磁気光学信号が増強する条件で前記光源から光を照射し、前記磁場印加機構によって前記積層体の磁化を制御することにより、前記水素ガス検知層の水素ガスとの反応による光学物性の変化に伴う前記積層体からの反射光の変化である磁気光学信号を前記光検出器によって検出することにより、水素ガスを検知することを特徴とする光検知式水素ガスセンサ。

IPC (1)：

G01N 21/21

FI (1)：

G01N21/21 A

F-Term (14)：

2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC02 ,  2G059DD15 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059GG01 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01