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J-GLOBAL ID：201703016923149432

希土類薄膜磁石及びその製造方法

Inventor： 中野 正基 ,  福永 博俊 ,  柳井 武志 ,  澤渡 広信
Applicant, Patent owner： JX金属株式会社
Agent (2)： 小越 勇 ,  小越 一輝
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016556505
Patent number：6178521
Application date： Oct. 19, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Si基板上に直接成膜したNd-Fe-Bからなる希土類薄膜磁石であって、前記希土類薄膜の膜厚が70μm以下の場合、Nd含有量が原子数比で0.15≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が70μm〜115μm(但し、70μmは除く)の場合、Nd含有量が原子数比で0.18≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が115μm〜160μm(但し、115μmは除く)の場合、Nd含有量が原子数比で0.20≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たすことを特徴とする希土類薄膜磁石。

IPC (8)：

H01F 10/14 ( 200 6.01) ,  H01F 10/28 ( 200 6.01) ,  H01F 41/20 ( 200 6.01) ,  H01F 1/057 ( 200 6.01) ,  H01F 41/02 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01F 10/14 ,  H01F 10/28 ,  H01F 41/20 ,  H01F 1/057 ,  H01F 41/02 G ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/58 A ,  C23C 14/14 F