膜中で特定の結晶構造を有するベンゾビス(チアジアゾール)誘導体の結晶、その結晶の膜、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015147479
Publication number (International publication number)：2017025039
Application date： Jul. 27, 2015
Publication date： Feb. 02, 2017
Summary：

【課題】電子の移動度に優れるベンゾビス(チアジアゾール)(BBT)誘導体の結晶又は膜及びこれらを用いた有機エレクトロニクスデバイスの提供。【解決手段】式(1)で示されるBBT誘導体である空間的に隣接する分子Aと分子Bとの間で、分子AのBBT部のSと分子BのBBT部のNの原子間距離D1、分子AのBBT部のSと分子Bのチオフェン環のSの原子間距離D2、分子AのBBT部のNと分子BのBBT部のSの原子間距離D3及び分子Aのチオフェン環のSと分子BのBBT部のSの原子間距離D4が、全て、関連する2つの原子の各々のファンデルワールス半径の合計よりも小さい空間配置を有するBBT誘導体の結晶。【選択図】図13

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体であって、

IPC (5)：

C07D 513/04 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/50

FI (8)：

C07D513/04 301 , C07D513/04 , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H05B33/14 A , H05B33/22 D , H05B33/22 B

F-Term (63)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107BB04 , 3K107BB06 , 3K107CC11 , 3K107DD71 , 3K107DD74 , 3K107DD78 , 4C072AA01 , 4C072AA07 , 4C072BB02 , 4C072BB06 , 4C072CC04 , 4C072CC17 , 4C072DD10 , 4C072EE12 , 4C072FF13 , 4C072GG01 , 4C072HH06 , 4C072UU05 , 4C072UU10 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN71 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ベンゾビスチアジアゾール化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-273878 Applicant：株式会社日本触媒

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Chemistry of Materials, 20150113, 27(1), p.141-147

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