光モジュールおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川茂樹 , 小池勇三 , 山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016079388
Publication number (International publication number)：2017191158
Application date： Apr. 12, 2016
Publication date： Oct. 19, 2017
Summary：

【課題】酸窒化シリコンからなるコアによる光導波路とゲルマニウムフォトダイオードとを同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。【解決手段】下部クラッド層101の上の第1領域110に形成されたゲルマニウムフォトダイオード110aと、下部クラッド層101の上の第1領域110に連続する第2領域120に形成されたシリコンコア121と、第2領域120の一部から第2領域120に連続する第3領域130にかけて形成された酸窒化シリコンコア122とを備える。酸窒化シリコンコア122が、第1酸窒化シリコン層141および第2酸窒化シリコン層142から構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲルマニウムフォトダイオード、シリコンコアからなるシリコン光導波路、酸窒化シリコンコアからなる酸窒化シリコン光導波路がこれらの順に接続した光モジュールの製造方法であって、シリコン基板の上に酸化シリコンからなる下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層の上にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層をパターニングして第1領域に下部シリコンパターンを形成するとともに、前記第1領域に連続する第2領域に前記シリコンコアを形成する工程と、前記下部シリコンパターンおよび前記シリコンコアを覆って前記下部クラッド層の上に、酸窒化シリコンからなる第1酸窒化シリコン層を形成する工程と、前記第1酸窒化シリコン層の上に酸化シリコンからなる酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層および前記第1酸窒化シリコン層の前記下部シリコンパターンの上部に開口部を形成する工程と、前記酸化シリコン層を選択成長マスクとして前記開口部の底部の前記下部シリコンパターンの上にゲルマニウムを選択的に成長してゲルマニウムパターンを形成し、前記下部シリコンパターンおよび前記ゲルマニウムパターンよりなる前記ゲルマニウムフォトダイオードを形成する工程と、前記酸化シリコン層を除去する工程と、前記酸化シリコン層を除去した後、前記第1酸窒化シリコン層の上に酸窒化シリコンからなる第2酸窒化シリコン層を形成する工程と、前記第1酸窒化シリコン層および前記第2酸窒化シリコン層をパターニングすることで前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて前記酸窒化シリコンコアを形成する工程と、前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記酸窒化シリコンコアの上に酸化シリコンからなる上部クラッド層を形成する工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。

IPC (3)：

G02B 6/12 , H01L 31/10 , G02B 6/132

FI (3)：

G02B6/12 301 , H01L31/10 A , G02B6/132

F-Term (26)：

2H147AB04 , 2H147AB10 , 2H147DA09 , 2H147EA12D , 2H147EA13A , 2H147EA13C , 2H147EA14B , 2H147EA23A , 2H147FA03 , 2H147FA05 , 2H147FA09 , 2H147FB13 , 2H147FC01 , 2H147GA10 , 2H147GA19 , 5F849AA01 , 5F849AB02 , 5F849BA30 , 5F849BB01 , 5F849CB05 , 5F849DA06 , 5F849GA05 , 5F849LA01 , 5F849XB05 , 5F849XB15 , 5F849XB51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光モジュールおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-221548 Applicant：日本電信電話株式会社, 国立大学法人東京大学
光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-225319 Applicant：日本電信電話株式会社
導波路材料膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-175505 Applicant：日本電信電話株式会社

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