結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015118587
Publication number (International publication number)：2017005147
Application date： Jun. 11, 2015
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：

【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた結晶性半導体膜を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。

IPC (4)：

H01L 21/365 , H01L 21/20 , C23C 16/40 , H01L 21/368

FI (4)：

H01L21/365 , H01L21/20 , C23C16/40 , H01L21/368 Z

F-Term (44)：

4K030AA02 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA42 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD09 , 5F045AF09 , 5F045DP03 , 5F045DP07 , 5F045EE02 , 5F045HA16 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR20 , 5F152LL03 , 5F152LM08 , 5F152MM02 , 5F152MM03 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM08 , 5F152MM09 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN27 , 5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

酸化物薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-206226 Applicant：株式会社FLOSFIA
半導体素子、半導体装置およびそれらの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-023178 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-006222 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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