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J-GLOBAL ID：201703019047202117

結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置

Inventor：
織田 真也

About 織田 真也

, 
徳田 梨絵

About 徳田 梨絵

, 
谷川 幸登

About 谷川 幸登

, 
人羅 俊実

About 人羅 俊実


Applicant, Patent owner：
株式会社FLOSFIA

About 株式会社FLOSFIA


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015118587
Publication number (International publication number)：2017005147
Application date： Jun. 11, 2015
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：
【課題】水素濃度が低減され、半導体特性などに優れた結晶性半導体膜を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜の水素濃度を成膜時および所望により成膜後に低減させて、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜を提供する。また、このような水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下である結晶性半導体膜をダイオードやトランジスタなどの半導体装置に用いる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が2×1017(atoms/cm3)以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
IPC (4)：
H01L 21/365 ,  H01L 21/20 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/368
FI (4)：
H01L21/365 ,  H01L21/20 ,  C23C16/40 ,  H01L21/368 Z
F-Term (44)：
4K030AA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045HA16 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053HH10 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR20 ,  5F152LL03 ,  5F152LM08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM08 ,  5F152MM09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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