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J-GLOBAL ID：201703019472286480

相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法

Inventor： 伊藤 正勝 ,  ポール フォンス ,  太田 裕之 ,  森田 行則 ,  右田 真司 ,  富永 淳二
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2013070449
Publication number (International publication number)：WO2014128990
Application date： Jul. 29, 2013
Publication date： Aug. 28, 2014
Summary：

電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層と、チャネル層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、チャネル層の第1の面上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル層の第2の面上に形成された第2のゲート電極とを有する。

Claim (excerpt)：

電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層と、 前記チャネル層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、 前記チャネル層の第1の面上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と を有することを特徴とする相変化チャネルトランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/80 W ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617S

F-Term (29)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB13 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE08 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG20 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK33 ,  5F110HM05