Pat
J-GLOBAL ID:201703019484169374
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
吉川 修一
, 傍島 正朗
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2014003813
Publication number (International publication number):WO2015068319
Application date: Jul. 17, 2014
Publication date: May. 14, 2015
Summary:
酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、絶縁層に形成された開口を介して酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、ソース電極又はドレイン電極に対するチャネル幅方向の酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす。
Claim (excerpt):
基板上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間に介して、前記ゲート電極と対向する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に少なくとも一部が位置し、かつ、前記絶縁層に形成された開口を介して前記酸化物半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極に対するチャネル幅方向の前記酸化物半導体層の一方の張り出し幅をL1(μm)とし、前記酸化物半導体層におけるキャリア密度をN(cm-3)とすると、
L1≧5.041exp(5×10-18N)の関係式を満たす、
薄膜トランジスタ。
IPC (3):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/28
FI (5):
H01L29/78 618Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616S
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
F-Term (74):
4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD37
, 4M104DD64
, 4M104DD72
, 4M104EE06
, 4M104EE15
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104GG08
, 5F110AA01
, 5F110AA14
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG26
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110HM05
, 5F110HM17
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN73
, 5F110QQ04
, 5F110QQ05
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