Pat

J-GLOBAL ID：201703019772429658

膜面垂直通電型巨大磁気抵抗素子及び磁気デバイス

Inventor： 窪田 崇秀 ,  成澤 寛行 ,  高梨 弘毅
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (1)： 特許業務法人 英知国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015120250
Publication number (International publication number)：2017004585
Application date： Jun. 15, 2015
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：

【課題】非磁性中間層の改良による高出力の膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子及び磁気デバイスを提供する。【解決手段】強磁性体層13,15としてホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層14(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])を有する。磁気デバイスは、この膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、 前記ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、 前記非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])からなることを特徴とする 膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子。

IPC (5)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16

FI (6)：

G11B5/39 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/30 ,  H01F10/16

F-Term (24)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034BA30 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB10 ,  5F092BB24 ,  5F092BB32 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21