Pat
J-GLOBAL ID:201703020065596147
ベンゾビス(チアジアゾール)誘導体、それを含むインク、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015148194
Publication number (International publication number):2017025047
Application date: Jul. 28, 2015
Publication date: Feb. 02, 2017
Summary:
【課題】電子の移動度(電界効果移動度)に優れ、大気中での安定性にも優れる、新たな骨格のベンゾビス(チアジアゾール)誘導体及び有機エレクトロニクスデバイスの提供。【解決手段】式(1)で示されるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体。(Ar1はN、S、O、及びSeより選ばれた少なくとも1つの原子を含む五員環ヘテロアリーレン基;Ar2はフェニル基、Nを1つ以上含む六員環ヘテロアリール基又はN、S、O、及びSeより選ばれた少なくとも1つの原子を含む五員環ヘテロアリール基;但し、Ar1がチオフェン基、かつ、Ar2がフェニル基である場合を除く)【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体:
IPC (8):
C07D 513/04
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
, H01L 29/786
, H01L 51/50
, H01L 51/46
, C09D 11/00
FI (14):
C07D513/04 301
, C07D513/04
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250H
, H01L29/28 310J
, H01L29/78 618B
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
, H01L31/04 154C
, H01L31/04 154D
, H01L31/04 154B
, H01L31/04 154E
, C09D11/00
F-Term (84):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC04
, 3K107CC22
, 3K107DD71
, 3K107DD74
, 3K107DD78
, 4C072AA01
, 4C072AA07
, 4C072BB02
, 4C072CC04
, 4C072CC17
, 4C072EE12
, 4C072FF13
, 4C072GG01
, 4C072HH05
, 4C072HH07
, 4C072UU08
, 4J039BC12
, 4J039BC50
, 4J039BC51
, 4J039BC52
, 4J039BC55
, 4J039BC68
, 4J039BE12
, 4J039BE22
, 4J039BE24
, 4J039EA24
, 4J039GA03
, 4J039GA09
, 4J039GA10
, 4J039GA24
, 5F110AA01
, 5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110BB09
, 5F110BB20
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK42
, 5F151AA11
, 5F151FA04
, 5F151GA03
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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